Der Preis in Form einer Plakette wird seit 2019 jährlich durch die IEEE Electron Device Society für herausragende Leistungen im Bereich der Hochleistungs-Halbleiterbauelemente verliehen und ist mit einem Preisgeld von 2000 € dotiert. Der Award wurde am 5.12.2022 im Rahmen des jährlichen IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco persönlich überreicht.

Galliumnitrid-basierte Bauelemente begleiten die wissenschaftliche Arbeit von Oliver Ambacher schon seit dem Beginn seiner Promotion 1989 an der Ludwig-Maximilian-Universität und der TU München. Im Anschluss beschäftigte er sich als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Walter-Schottky-Institut in München mit dem Wachstum von GaN mittels Molekularstrahlepitaxie und chemischer Gasphasenabscheidung. Ab 1995 fokussierte er sich auf polarisationsinduzierte Effekte in GaN-Heterostrukturen und legte somit den Grundstein für seine späteren Erfolge. Während seines Forschungsaufenthalts als Stipendiat der Alexander von Humboldt Stiftung an der Cornell Universität (1998-1999) in der Forschungsgruppe von Professor Eastman, dem Namensgeber der Auszeichnung, erweiterte er sein Verständnis der Physik der Halbleiternitride, um AlGaN/GaN Transistoren für Hochfrequenz-Leistungsverstärker weiterzuentwickeln. 2000 habilitierte er in Experimentalphysik und erhielt 2001 den Ruf für die Professur für Nanotechnologie an der TU Ilmenau.

In Freiburg unterstützte er als Leiter des Fraunhofer Instituts für angewandte Festkörperphysik und Professor für Verbindungshalbleiter an der Albert-Ludwigs-Universität (2007-2015) kontinuierlich Nachwuchswissenschaftler*innen mit besonderem Augenmerk auf die GaN-basierte Leistungselektronik.

Seit 2017 trägt die Gips-Schüle-Professur für Leistungselektronik des INATECHs unter der Leitung Ambachers maßgeblich zur Entwicklung energieeffizienter Leistungselektronik bei, unter anderem durch die Forschung an hocheffizienten, GaN-basierte Leistungsverstärkern. Die jahrelange Erfahrung von Professor Ambacher in der Physik der Halbleiternitride und Leistungselektronik ist hilfreich, auch neue Materialien wie Scandium-Aluminium-Nitrid (ScAlN) zu verstehen und Bauelemente zu verbessern. Dieser Transfer zeigt sich unter anderem bei der aktuellsten Publikation über ScAlN/GaN Heterostrukturen: „Electron accumulation and distribution at interfaces of hexagonal Sc_xAl_1−xN/GaN- and Sc_xAl_1−xN/InN-heterostructures“ (Ambacher et al. 2022, https://doi.org/10.1063/5.0094533). Diese Arbeit ermöglicht die Integration von rauscharmen Verstärkern in Bauelemente verschiedener Mobilfunkstandards wie 5G, LTE oder WLAN. Somit wird die Vision des Lehrstuhls der Reduzierung der Energieverluste von Kommunikations- und Energiewandelnden System zur Realität.

Kontakt:

Prof. Dr. Oliver Ambacher
Gips-Schüle-Professur für Leistungselektronik
Institut für Nachhaltige Technische Systeme - INATECH
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg
E-Mail: oliver.ambacher(a)inatech.uni-freiburg.de

M.Sc. Saskia Mihalic
Wissenschaftliche Mitarbeiterin
Gips-Schüle-Professur für Leistungselektronik
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg
Tel.: 0761/203-95269
E-Mail: saskia.mihalic(a)inatech.uni-freiburg.de

Kerstin Steiger-Merx
Referentin PR/Marketing
Technische Fakultät
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg
Tel.: 0761/203-8056
E-Mail: steiger-merx@tf.uni-freiburg.de