Eröffnungsvortrag im Symposium H auf der Spring-EMRS in Lille/France
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Die kontrollierte Herstellung von Silizium Nanokristallen via Multilagen ist heutzutage Standardmethode [1] und ermöglicht systematische Untersuchungen für ein tieferes Verständnis der photonischen und elektronischen Eigenschaften von indirekten Halbleiter-Quantenpunkten. Die Temperaturabhängigkeit der durch die Quantenstruktur begrenzten indirekten Silizium Bandlücke wurde in experimentellen Ergebnisse gezeigt und mit Vorhersagen der Theorie verglichen.[2] Die Wechselwirkung von der strahlenden und nicht-strahlenden Rekombination wurde mit einer Studie zur Rekombinationskinetik, basierend auf zeitaufgelösten Photolumineszenzmessungen diskutiert.[3] Die elektronischen Transporteigenschaften als Funktion der Silizium Nanokristallgröße und –abstand wurde im Hinblick auf mögliche Anwendungen besprochen.[4] Anschließend wurden systematische Dotierexperimente mit Phosphor vorgestellt, wobei der Fokus auf die Dotiereffizienz und die Selbstreinigung gelegt wurde.[5]
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